泽达发布突破性200 Gbps/λ PAM4 EML 推动高速光通信发展

泽达今日宣布在高速光通信领域实现重大技术突破，成功研发出具备规模化量产能力的CWDM4 200 Gbps/λ PAM4电吸收调制激光器。这款面向新一代需求的光器件，旨在满足数据中心与5G网络对超高速数据传输日益增长的需求。

通过先进结构设计与封装创新，新型EML实现了超过60 GHz的带宽性能，并在25℃至50℃工作温度范围内，所有CWDM4通道的TDECQ参数均稳定保持在3.0dB以下。

泽达研发中心主任K-H Huang博士将于11月8日在苏州举办的亚洲光通信与光子学会议(ACP 2025)上，通过编号ACP2025-0711-4的专题报告正式披露此产品更多信息。

“尽管海外领先企业在200 Gb/s/λ EML商业化方面取得重要进展，但中国在高端100/200 Gbps/λ光器件领域仍存在供需缺口，”K-H Huang博士表示，“我们的技术突破将着力强化本土供应链，为新一代数据中心和5G基础设施建设提供支撑。”

此次成果延续了泽达在CWDM4 100Gb/s PAM4 EML领域的技术积累。研发团队成功将传输速率提升至200 Gbps/λ PAM4，实现了器件性能的跨越式提升。

面向未来，K-H Huang博士团队将重点优化制造工艺并降低寄生电容。他强调，芯片与载板结构的协同设计，将成为构建超100 GBaud级EML核心竞争力的关键要素。

随着该技术的推广应用，泽达将有效缓解中国高端光器件产业链压力，为下一代数据中心互联与5G网络升级提供坚实技术保障。